El HY27UU08AG5A es un flash NAND 2048M × 8 bits con capacidad excedente de 64M x 8 bits. El HY27UU08AG5A se ofrece en VCC de alimentación principal 3.3V, fuente de alimentación de entrada y salida 3.3V. La célula NAND del HY27UU08AG5A ofrece la solución más rentable para el mercado de almacenamiento masivo de estado sólido. La memoria se divide en bloques que se pueden borrar de forma independiente por lo que es posible conservar los datos Vaid mientras que los datos antiguos se ereased. El HY27UU08AG5A contiene 8192blocks, compuesto por 128 páginas consta de dos estructuras de células NAND flash de 32 conectados en serie.

HY27UU08AG5A absolutos nominales máximos: (1) TA, termperatura ambiente de operación (rango temeprature comercial): de 0 a 70 ℃, la temperatura ambiente de funcionamiento (rango de temperatura industrial): -40 a 85 ℃, (2) las parteras tradicionales, bajo el sesgo de temperatura: -50 a 125 ℃, (3) Tstg, temperatura de almacenamiento: -65 a 150 ℃, (4) VIO, de entrada o salida de voltaje: -0,6 a 4,6 V, (5) VCC, tensión de alimentación: -0.6 a 4.6V.

Características HY27UU08AG5A: (1) la densidad de memorias NAND flash de alta: soluciones rentables para aplicaciones de almacenamiento masivo, (2) de la arquitectura multiplane: array se derrama en dos plannes independientes, (3) la interfaz NAND: × 8 Ancho de bus; dirección / datos multiplexados; compatibilidad pinout para todas las densidades, (4) la tensión de alimentación: 3.3V dispositivo: VCC = 2.7V a 3.6V, (5) matriz de células de memoria: 92K 64) bytes × × 128pages 8192blocks; (6) registro de estado, (7) permitir chips no cuida: interfaz sencilla con un microcontrolador, (8) la protección de datos de hardware.